基于SDB技术的新结构PT型IGBT器件研制

• 作者: 何进 王新 陈星弼
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 穿通 优化设计 硅片直接键合
• 年，卷（期）: 2000,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 877-881
• 页数: 5页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 2934字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.09.010

摘要

报道了基于SDB技术的新结构穿通(PT)型IGBT器件的研制.运用SDB技术,实现了PT型IGBT器件的N+缓冲层的优化设计,也形成了IGBT器件的正斜角终端结构.研制出IGBT器件有较好的电击穿特性和关断特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈星弼	电子科技大学微电子所	31	254	8.0	15.0
2	何进	电子科技大学微电子所	13	107	5.0	10.0
3	王新	电子科技大学微电子所	9	55	4.0	7.0