高功率1.55μm半导体激光器

• 作者: 晏长岭 赵英杰 钟景昌 黎荣晖
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 大光腔结构 液相外延
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 90-92
• 分类号: TN2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1093.2000.01.026

摘要

1.55μm半导体激光器有很多突出的优点, 但普通的双异质结激光器功率小, 且对温度很敏感.本文将大光腔结构形式引入1.55μm GaInAsP/ InP半导体激光器中,用液相外延技术研制成功了脉冲峰值功率超过2W的1.55μm GaInAsP/ InP 半导体激光器.普通双异质结构激光器特征温度T0为50～70K[1];而本文研制的大光腔结构为100～140K.激光器的寿命超过1 000h.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵英杰		3	19	3.0	3.0
2	钟景昌		4	19	3.0	4.0
3	黎荣晖		2	11	2.0	2.0
4	晏长岭		2	11	2.0	2.0