镉的硫族化合物半导体纳米线阵列的模板法

• 作者: 冯玉英 孔景临 孙冬梅 徐士民 王广厚 薛宽宏 陆海彦
• 来源期刊: 电化学
• 学科: 化学
• 关键词: 模板法合成 多孔氧化铝 半导体 硫族化镉 纳米线
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快讯
• 页码范围: 151-156
• 页数: 6页
• 分类号: O646|O649.4
• 字数: 1664字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3471.2000.02.003

摘要

以多孔氧化铝为模板,用交流电分别通过含有相应的CdCl2、ZnCl2、单质S、Se等的二甲亚砜(DMSO)溶液,沉积CdS、CdSe以及CdxZn1-xS半导体纳米线阵列并研究其紫外可见吸收光谱.实验结果表明,当半导体纳米线的直径小于25 nm时,其吸收边相对于体相的吸收边产生蓝移,而且蓝移的幅度随着半导体纳米线直径的减小而增加,显示了明显的量子限域效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯玉英	南京师范大学化学系	65	556	11.0	21.0
2	孙冬梅	南京师范大学化学系	17	147	7.0	12.0
3	王广厚	南京大学固体微结构国家重点实验室	24	243	7.0	15.0
4	陆海彦	南京师范大学化学系	4	49	3.0	4.0
5	薛宽宏	南京师范大学化学系	24	407	11.0	20.0
6	徐士民	南京师范大学化学系	6	78	4.0	6.0
7	孔景临	南京师范大学化学系	7	183	5.0	7.0