硅/硅键合新方法的研究

• 作者: 刘玉岭 张德臣 张志花 张文智 徐晓辉 王新
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 化学
• 关键词: 硅 锗 键合 机理
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 2326字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2000.01.004

摘要

研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅/硅键合的一整套新技术(代替通用的亲水法);实现了键合层无孔洞,边沿键合率达98%以上,键合强度达2156Pa以上,并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质,实现了应力补偿.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	张德臣	河北工业大学微电子研究所	2	6	1.0	2.0
3	王新	河北工业大学微电子研究所	43	381	10.0	17.0
4	徐晓辉	河北工业大学微电子研究所	53	364	11.0	15.0
5	张文智	河北工业大学微电子研究所	1	6	1.0	1.0
6	张志花	河北工业大学微电子研究所	1	6	1.0	1.0