在层状超导体2H-NbSe2中的重入现象

• 作者: 张波 张裕恒 田明亮
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 页码范围: 401-410
• 页数: 10页
• 分类号: O4
• 字数: 6162字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2000.06.001

摘要

我们测量了纯2H-NbSe2单晶样品在磁场下的直流电输运行为,得到了有重入现象的电阻随磁场变化R(H)、电阻随温度变化R(T)以及临界电流随磁场变化Ic(H)关系曲线.我们还采用六电极法同时测量了上、下表面的电势,得到了上、下表面重入不同步的新结果,这个新的实验结果可以由磁通动力学理论,结合Anders on磁通蠕动模型给予很好的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	中国科学技术大学结构分析开放实验室	209	2133	20.0	38.0
2	张裕恒	中国科学技术大学结构分析开放实验室	34	179	8.0	12.0
3	田明亮	中国科学技术大学结构分析开放实验室	5	5	1.0	2.0