InAs-SiO2的电学特性研究

• 作者: 冯声祖
• 来源期刊: 安徽大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 波函数 变程跳跃 (VRH)电导
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2664字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2000.02.011

摘要

通过测定一系列镶嵌薄膜样品的电学特性,发现其电阻具有VRH电导特性,认为主要是由于薄膜中的半导体受到三维强限域作用导致局域态的波函数交叠引起的.研究表明对于III-V族元素半导体颗粒镶嵌薄膜的变程跳跃电导在导电机制中起主导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯声祖	淮南工业学院数理系	3	0	0.0	0.0