耦合用硅片V型槽的设计与制作

• 作者: 杨成惠
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 集成光学器件 铌酸锂 耦合 V型槽
• 年，卷（期）: 2000,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 73-74
• 页数: 2页
• 分类号: TN256
• 字数: 800字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.z1.019

摘要

LiNbO3集成光学器件耦合的基础是设计并制作出高质量的硅片V型槽。文章介绍了硅片V型槽的设计和制作方法，采用该方法制作出的硅片V型槽质量好、成品率高，已成功地用于各种LiNbO3集成光学器件的耦合中。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨成惠		1	13	1.0	1.0