GaAs/SiO2超晶格的制备和Raman光谱研究

• 作者: 濮玉梅 王孙涛 王敬 王永鸿 秦国刚 衡成林 陈坚邦 陈晶
• 来源期刊: 光散射学报
• 学科: 化学
• 关键词: 拉曼散射 超晶格 高分辨率电镜 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 142-146
• 页数: 5页
• 分类号: O657.37
• 字数: 2016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-5929.2000.03.005

摘要

我们采用射频磁控溅射方法在p-Si衬底上成功地制备出四周期的非晶GaAs/SiO2超晶格,并取得其高分辨率电镜像.以800℃快速退火方法使超晶格中非晶的GaAs层局部晶化.利用Raman散射谱研究了其结构变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	衡成林	北京大学物理系	3	4	1.0	2.0
2	王孙涛	北京大学物理系	3	3	1.0	1.0
3	秦国刚	北京大学物理系	20	128	6.0	10.0
4	陈坚邦		7	77	4.0	7.0
5	陈晶	北京大学电子显微镜实验室	35	392	12.0	18.0
6	王敬		16	83	5.0	8.0
7	王永鸿		2	1	1.0	1.0
8	濮玉梅		1	0	0.0	0.0