亚微米埋沟pMOSFET阈电压模型

• 作者: 李洪革 牟有静 郭继红
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 阈电压
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 347-351
• 页数: 5页
• 分类号: TP732
• 字数: 1823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2000.04.014

摘要

亚微米埋沟pMOSFET的阈电压模型,该模型考虑了热电子发射等短沟道效应.只要对模型中的符号作相应改变,则可作为nMOSFET的模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭继红	辽宁大学信息科学与技术学院	9	66	3.0	8.0
2	牟有静	辽宁大学信息科学与技术学院	15	74	4.0	8.0
3	李洪革	辽宁大学信息科学与技术学院	2	1	1.0	1.0