电子辐照下的SiC少子寿命退化模型

• 作者: 尚也淳 张义门 张玉明
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: 寿命退化模型 SiC 电子辐照
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 169-173
• 页数: 5页
• 字数: 3429字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.02.012

摘要

从理论上对电子辐照在4H-SiC中引入的缺陷数量和各种缺陷能级进行了分析.结果表明，EH6和EH7缺陷能级在4H-SiC中起着有效复合中心的作用.采用SRH模型来估计电子辐照下4H-SiC的少子寿命，并给出了电子辐照下4H-SiC少子寿命损伤系数的模型.结合具体的测量条件，证明了这个模型是合理的.辐照电子对Si、GaAs和4H-SiC产生的不同影响展示了在高空、高辐照条件下 SiC存在着优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	尚也淳	西安电子科技大学微电子所	9	53	4.0	7.0