氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用

• 作者: 常勇 梁建军 王占国 王永谦 陈维德
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铒 氧 硼 磷 光致发光 非晶硅
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 196-199
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2517字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.03.003

摘要

利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术生长氧、硼、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜.在室温下注入铒离子后研究三种掺杂元素对铒离子发光的作用.室温下观察到很强的光致发光现象.氧的引入并且和铒离子形成发光中心,提高了铒离子的发光强度.退火实验表明氧、硼、磷的掺杂补偿了材料中的缺陷,提高了氢的逃逸温度,改善材料的热稳定性,使材料的退火温度因掺杂元素的加入而提高,铒的发光得到增强.讨论了铒离子的发光机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈维德	中国科学院半导体研究所	12	35	4.0	5.0
5	王占国	中国科学院半导体研究所	101	701	15.0	23.0
6	王永谦	中国科学院半导体研究所	9	59	5.0	7.0
10	梁建军	中国科学院半导体研究所	5	14	2.0	3.0