新型氧离子导体稳定氧化铋的中子衍射

• 作者: H.Luo N.Jiang 刘蕴韬 李际周 杨继廉 肖红文
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 氧离子导体 稳定氧化铋 中子衍射
• 年，卷（期）: 2000,（Z1）
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: O571.66
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2000.z1.002

摘要

新型氧离子导体稳定氧化铋(Dy2O3)0.15-x(WO3)x(Bi2O3)0.85样品具有很高的电导率,当x=0.7时,样品在650 ℃经过1200 h老化仍不发生相变.用中子衍射技术研究其结构,发现氧离子在32f晶位占位数随着x的变化有一极大值,这时晶体结构趋向于氧离子由8c晶位向32f晶位移动.由于这时的24e-32f键长最短,结构极其稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李际周	中国原子能科学研究院核物理研究所	11	50	3.0	7.0
2	刘蕴韬	中国原子能科学研究院核物理研究所	56	160	6.0	11.0
3	肖红文	中国原子能科学研究院核物理研究所	7	16	3.0	3.0
4	杨继廉	中国原子能科学研究院核物理研究所	2	2	1.0	1.0