生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构

• 作者: 杨建树 王学森 翟光杰 陈显邦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅 氮化硅 表面结构 扫描隧道显微镜 低能电子衍射
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 346-353
• 页数: 8页
• 分类号: O472+.1
• 字数: 5185字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.04.006

摘要

利用扫描隧道显微镜(STM)等分析手段，我们对Si(111)在NH3气氛下氮化后的表面结构进行了研究.Si(111)在1075K暴露于NH3后，表现所形成的氮化硅存在周期为1.02nm的(“8/3×8/3”)再构，当温度提高到1125K以上时，表面出现周期为3.07nm的超结构.这两种表面超结构都可以形成“8×8”低能电子衍射花样.系统的研究证明3.07nm超结构是在Si(111)表面形成晶态β-Si3N4薄膜(0001)表面的4×4再构，而1.02nm周期是Si(111)表面未获得有效氮化的一种结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翟光杰	香港科技大学物理系	2	5	1.0	2.0
2	杨建树	香港科技大学物理系	2	5	1.0	2.0
3	陈显邦	香港科技大学物理系	2	5	1.0	2.0
4	王学森	香港科技大学物理系	4	7	1.0	2.0