光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN

• 作者: 周玉刚 张荣 施毅 李卫平 沈波 臧岚 郑有炓 陈志忠 陈鹏 顾书林
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 化学
• 关键词: AlGaN GaN 金属有机化学气相淀积 气相寄生反应
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: O6
• 字数: 2242字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2000.08.009

摘要

采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层.结果表明,铝和镓的并入效率基本相等,这有别于其他研究报道.此外,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型,它表明,光加热对预反应有较大的影响.结合GaN的生长可以看出,光加热有利于抑制预反应,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈鹏	南京大学物理系	57	921	13.0	30.0
2	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0
3	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
4	顾书林	南京大学物理系	46	261	9.0	14.0
5	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
6	沈波	南京大学物理系	34	136	7.0	10.0
7	周玉刚	南京大学物理系	9	15	2.0	3.0
8	李卫平	南京大学物理系	3	1	1.0	1.0
9	陈志忠	南京大学物理系	3	1	1.0	1.0
10	臧岚	南京大学物理系	5	9	2.0	3.0