半导体硅片的P-n结和铜沉积行为的电化学研究

• 作者: 林昌健 程璇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属污染 铜沉积 极化电阻 硅/溶液界面 p-n结
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 509-516
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 5085字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.05.019

摘要

分别采用电化学直流极化和交流阻抗技术,通过控制光照和溶液化学组分,研究了半导体硅片/氢氟酸体系的电化学特性和半导体性能.对p(100)和n(100)两种硅片的研究结果均表明,有光照条件下硅/氢氟酸界面上的电化学反应很容易发生且起着主导作用,而黑暗条件下硅片则处于消耗期,电化学反应难于发生,因而其半导体性能起着重要的作用.当溶液中有微量铜存在时,硅/溶液界面上的电化学反应将被加速.通过单独研究两种硅片的电化学行为,讨论了半导体硅片在氢氟酸溶液中形成的p-n接点行为,并通过考察溶液中的铜离子浓度、光照条件和沉积时间对铜在硅片上的沉积行为的影响,探讨了铜沉积机理.研究结果表明,电化学交流阻抗法对研究稀释氢氟酸溶液中PPb浓度水平的微量铜杂质对硅片表面的污染极为有效,有望用于半导体硅片表面铜污染的检测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林昌健	厦门大学材料科学系固体表面物理化学国家重点实验室	111	1423	23.0	32.0
2	程璇	厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室	47	284	10.0	15.0