铁钝化多孔硅中的输运性质

• 作者: 张裕恒 朱德亮 陈乾旺
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 241-245
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2000.04.001

摘要

采用水热法制备了发光强度强且不衰减、峰位不蓝移的铁钝化多孔硅. 标准四引线法测得的电阻-温度结果表明杂质能级是输运的主宰者;电流-电压结果说明当有电流流过样品时会有明显的热效应. 考虑到金属电极和铁钝化多孔硅之间形成的肖特基势垒会对样品的输运性质产生影响,采用共平面的两引线法测量了铁钝化多孔硅样品在不同温度下的电流-电压特性,发现隧道模型可以很好地拟和这些结果. 这些研究结果指出作为未来的多孔硅光电集成器件,通过多孔硅的电流必须限定在一定的范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈乾旺	中国科学技术大学结构分析开放实验室	21	99	5.0	9.0
2	张裕恒	中国科学技术大学结构分析开放实验室	34	179	8.0	12.0
3	朱德亮	中国科学技术大学结构分析开放实验室	1	5	1.0	1.0