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摘要:
用金属蒸发真空弧离子源注入机将Y离子注入硅,制备出特性良好的硅化物.用掠角沟道技术和透射电子显微镜分析了这种硅化物的结构.用束流密度为25μA/cm2的Y注入硅可形成三层结构的硅化钇.硅化钇层的厚度大约为60-80nm.其缺陷密度Nd和薄层电阻Rs随束流密度的增加而下降.快速退火后,Nd和Rs都明显下降.Rs从54Ω/□下降到14Ω/□.最小电阻率为84μΩ·cm.这说明快速退火可以改善硅化钇的电特性.X射线衍射分析表明YSi和YSi2硅化物已经形成.掠角沟道技术有益于研究薄层硅化物的原子深度分布和品格缺陷密度分布.
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文献信息
篇名 离子注入硅快速退火合成Y硅化物的特性
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 Y注入硅 掠角沟道分析 MEVVA离子注入
年,卷(期) 2000,(6) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 542-547
页数 6页 分类号 TN305.3
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.06.004
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研究主题发展历程
节点文献
Y注入硅
掠角沟道分析
MEVVA离子注入
研究起点
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
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35317
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