周期性磁场下的GaAs/AlxGa1-xAs单量子阱中电子的能带结构

• 作者: 廖任远 李书平 王仁智 郑永梅
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 周期性磁场 电子能带结构 有效质量理论
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学 技术科学
• 页码范围: 758-763
• 页数: 6页
• 分类号: O481.1
• 字数: 2670字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2000.06.006

摘要

为了研究外磁场对量子阱中电子的能带结构的影响,采取了一种简单的可解析求解的模型,研究了周期性磁场下的GaAs/AlxGa1-xAs单量子阱中电子的能带结构,发现在周期性磁场的作用下, 在z方向上的能量是分立的量子化能级,而原来在x-y平面内连续的能级分裂成分立的一系列许可带,但是在x方向上能量仍然是连续的,同时对其能带的特点和形成机制进行探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李书平	厦门大学物理学系	23	51	3.0	5.0
2	王仁智	厦门大学物理学系	14	35	3.0	5.0
3	郑永梅	厦门大学物理学系	10	18	3.0	3.0
4	廖任远	厦门大学物理学系	2	3	1.0	1.0