组分和应力不均匀分布对薄膜铁电性的影响

• 作者: 冯仕猛 汤兆胜 范正修 赵强
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: PbTiO3薄膜 应力 组分
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 249-252
• 页数: 4页
• 分类号: TM221
• 字数: 3122字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2000.04.013

摘要

采用组合靶射频溅射的方法、制备后慢速降温的途径在(111)Si基板上制备出了成膜较好的PbT iO3薄膜.通过测试分析发现在薄膜中形成了一个缓解应力的过渡层,薄膜中的Pb、 Ti组分比沿着薄膜生长的方向成非线性增长,并在薄膜表面形成一个富Pb层,薄膜的 C-V特性曲线中存在负方向的位移和畸变.结合实验结果对薄膜的生长机理进行了探讨 ,并且对薄膜中的应力和不均匀分布的组分对薄膜铁电特性的影响进行了理论上的分析,而且与实验取得了一致的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵强		1	2	1.0	1.0
2	汤兆胜		1	2	1.0	1.0
3	冯仕猛		1	2	1.0	1.0
4	范正修		1	2	1.0	1.0