AlxGa0.51-xIn0.49P光学性质的研究

• 作者: 卢菲 崔德良 张淑芝 王海涛 秦晓燕 连洁 魏爱俭 黄伯标
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体薄膜技术 椭偏光谱 三点比例内插 能带隙
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 111-114
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3|TN304.055
• 字数: 2364字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.02.010

摘要

用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品.用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数,并求其介电函数的三级微商谱.用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0以及 Eg以上成对结构跃迁的能量位置,并对其结果加以分析.同时与沟道分析等方法相结合对材料的性能进行了鉴定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢菲	山东大学光电系	7	22	3.0	4.0
2	王海涛	山东大学环境工程系	41	247	9.0	13.0
3	魏爱俭	山东大学光电系	27	85	5.0	7.0
4	连洁	山东大学光电系	33	143	7.0	9.0
5	张淑芝	山东大学光电系	8	14	3.0	3.0