关于 MoSi2 氧化相低温化学稳定性图的建立与分析

• 作者: 刘心宇 庞佑霞 张厚安 李颂文
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: MoSi2 低温氧化 化学稳定性图
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 423-426
• 页数: 4页
• 分类号: TG146
• 字数: 1818字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2000.06.006

摘要

从热力学角度建立了 MoSi2 氧化相的低温化学稳定性图,并对实验现象进行了分析.建立的 MoSi2 氧化相的低温化学稳定性图阐明了 MoSi2 材料低温氧化生成物与温度、氧分压之间的关系;可较好地解释实验现象和结果;并指出减少 MoSi2 材料的内部缺陷,使扩散至界面的氧分压维持较低数值,可避免生成挥发性 MoO3 相,从而防止材料的"PEST"现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张厚安	湘潭工学院机械工程与自动化系	26	231	9.0	12.0
3	刘心宇	中南大学材料科学与工程系	138	921	15.0	19.0
6	庞佑霞	湘潭工学院机械工程与自动化系	19	174	9.0	13.0
7	李颂文	湘潭工学院机械工程与自动化系	8	68	5.0	8.0