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摘要:
通过x射线双晶衍射图形讨论了SiGe/Si HBT的电学特性与晶格结构的关系.
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文献信息
篇名 SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 SiGe/Si x射线双晶衍射 光程差 弛豫
年,卷(期) 2000,(1) 所属期刊栏目 材料研究
研究方向 页码范围 36-38
页数 3页 分类号 TN304.054|TN304.07
字数 1468字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.01.012
五维指标
传播情况
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引文网络
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1995(1)
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2012(1)
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研究主题发展历程
节点文献
SiGe/Si
x射线双晶衍射
光程差
弛豫
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
相关基金
北京市自然科学基金
英文译名:Natural Science Foundation of Beijing Province
官方网址:http://210.76.125.39/zrjjh/zrjj/
项目类型:重大项目
学科类型:
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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