多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制

• 作者: 关旭东 刘晓彦 张盛东 王阳元 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 多晶硅 kink效应 超薄沟道
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 317-324
• 页数: 8页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 2256字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.04.002

摘要

提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT).该poly-Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成.超薄沟道区可有效降低沟道内陷阱密度，而厚源漏区能保证良好的源漏接触和低的寄生电阻.沟道区和源漏区通过一低掺杂的交叠区相连接.该交叠区使得在较高偏置时，靠近漏端的沟道区电力线能充分发散，导致电场峰值显著降低.模拟结果显示该TFT漏电场峰值仅是常规TFT的一半.实验结果表明该TFT能获得好的电流饱和特性和高的击穿电压.而且，与常规器件相比，该TFT的通态电流增加了两倍，而最小关态电流减少了3.5倍

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0
2	刘晓彦	北京大学微电子学研究所	41	268	9.0	15.0
3	韩汝琦	北京大学微电子学研究所	38	261	10.0	14.0
4	张盛东	北京大学微电子学研究所	13	47	4.0	6.0
5	关旭东	北京大学微电子学研究所	3	13	2.0	3.0