不同偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究

• 作者: 于广辉 关郑平 张吉英 杨春雷 申德振 胡德宝 范希武
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格 电调制反射谱 电光调制
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: O484.41
• 字数: 3365字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.01.001

摘要

首次研究了在室温和不同直流偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格结构的电调制反射谱(ER)的变化.当器件处于弱场范围时,随着电场的增加,ER谱的信号幅度增加,而线型不变;在强场区,随着电场的增加,ER谱的线型发生变化,激子跃迁能量红移,继续增加反向偏压出现来自于1c-2hh的禁戒跃迁,且其强度随反向偏压的增加迅速增加.不同偏压下组合超晶格结构的ER谱研究表明,势垒高度较低的超晶格结构中的激子较易受到电场的调制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	申德振	中国科学院长春物理研究所	28	102	6.0	8.0
2	范希武	中国科学院长春物理研究所	23	77	5.0	8.0
3	张吉英	中国科学院长春物理研究所	13	64	5.0	7.0
4	杨春雷	中国科学院长春物理研究所	10	25	4.0	5.0
5	于广辉	中国科学院长春物理研究所	15	32	3.0	5.0
6	关郑平	中国科学院长春物理研究所	3	3	1.0	1.0
7	胡德宝	吉林大学电子工程系	1	0	0.0	0.0