Si+/As+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究

• 作者: 刘明成 刘福润 王永晨 赵杰 鲁光沅
• 来源期刊: 天津师大学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 半绝缘GaAs 电激活均匀性 EL2能级
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 22-27
• 页数: 6页
• 分类号: O485
• 字数: 3413字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-1114.2000.03.005

摘要

研究了单(Si+)双(Si+/As+)离子注入半绝缘砷化镓(SI-GaAs)电激活的均匀性. 结果表明,LECSi-GaAs衬底中深电子陷阱能级(EL2)均匀性分布好坏,对注入层电激活性有一定影响. 当SI-GaAs中碳含量小于5×1015 cm-3时,对注入层电激活影响不大. 采用多重能量Si+注入,可改善栽流子纵向分布的均匀性,采用Si+/As+双离子注入可改善LEC SI-GaAs衬底中EL2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响,可获得注入层横向的电激活.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵杰	天津师范大学物理系	40	171	8.0	11.0
2	刘明成	天津师范大学物理系	12	53	5.0	7.0
3	王永晨	天津师范大学物理系	16	24	3.0	4.0
4	鲁光沅	天津师范大学物理系	2	3	1.0	1.0
5	刘福润	天津师范大学物理系	3	3	1.0	1.0