等离子体增强热丝化学气相沉积法生长取向金刚石薄膜

• 作者: 刘洪刚 叶敦菇 程国安
• 来源期刊: 南昌大学学报（理科版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 热丝化学气相沉积 金刚石 等离子体
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 88-92
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1814字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-0464.2000.01.019

摘要

采用等离子体增强热丝化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长金刚石薄膜,扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析结果表明金刚石晶体颗粒在〈111〉方向实现了取向生长.随H2气氛中CH4浓度的提高金刚石的形核率增加,但当CH4在H2中的体积分数≥0.04时石墨竞相生长,无金刚石生成.等离子体增强形核技术能极大地提高金刚石的形核密度,在高密度等离子体的作用下,金刚石的形核密度可达109个/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘洪刚	南昌大学材料科学与工程系	1	1	1.0	1.0
2	叶敦菇	南昌大学物理学系	1	1	1.0	1.0
3	程国安	南昌大学材料科学与工程系	17	202	5.0	14.0