一次中强磁暴期间低纬电离层响应的CT成像

• 作者: 叶公节 吴雄斌 徐继生 林根煌 马淑英
• 来源期刊: 地球物理学报
• 学科: 地球科学
• 关键词: 低纬电离层 CT成像 磁暴 电离层暴
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 145-151
• 页数: 7页
• 分类号: P352.4
• 字数: 4789字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0001-5733.2000.02.001

摘要

为考察赤道异常区电离层对中等强度磁暴的响应特性,用电离层CT成像方法重建电离层电子密度二维剖面.重建结果表明,暴时低纬电离层电子密度以降低为主,但暴相随纬度和高度而异;磁暴期间,赤道异常峰结构仍然存在,但恢复相期间峰的位置向赤道移动;磁暴急始之后约20min,在赤道异常峰区出现电子密度深度耗空,这种耗空遍及从底到顶的整个F区,朝赤道一侧显现水平梯度非常大的陡壁.这种与磁暴急始相联系的电子密度深度耗空现象很有意义,值得进一步研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马淑英	武汉大学电子信息学院	21	170	8.0	13.0
2	吴雄斌	武汉大学电子信息学院	68	535	13.0	19.0
3	徐继生	武汉大学电子信息学院	53	461	12.0	19.0
4	林根煌	台湾中山大学电子工程系	1	10	1.0	1.0