VLSI互连寄生电容准三维多极加速提取

• 作者: 方蜀州 杨钊志 王泽毅
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 间接边界元素法 寄生电容 多极加速法 准三维(准3-D)
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 129-131
• 页数: 3页
• 分类号: TN47|O241
• 字数: 2858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.11.036

摘要

随着VLSI向深亚微米发展,需要快速而精确地计算互连寄生电容以保证高性能电路设计的正确性.本文介绍一个单介质准三维电容提取软件.在位势理论建立的间接边界积分方程中,它在导体表面采用线电荷近似面电荷的思想简化3-D结构,并采用多极加速法进一步降低计算复杂度.由于既保留了三维形体的空间架构,又使大量电荷积分降为一维,取得了精度与速度的良好平衡.数值计算结果表明,其计算复杂性为O(n),n为边界元数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王泽毅	清华大学计算机科学与技术系	35	124	6.0	9.0
2	方蜀州	清华大学计算机科学与技术系	4	11	2.0	3.0
3	杨钊志	清华大学计算机科学与技术系	1	6	1.0	1.0