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Ⅲ-Ⅴ族化合物低维半导体材料制备技术及进展
Ⅲ-Ⅴ族化合物低维半导体材料制备技术及进展
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摘要：
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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
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半导体光电
主办单位：
重庆光电技术研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
开本：
大16开
出版地：
重庆市南坪花园路14号44所内
邮发代号：
创刊时间：
1976
语种：
chi
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
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22967
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