陶瓷真空室研制及其阻抗的研究

• 作者: 冷用斌 尚雷 樊宽军 王琳 王相綦 裴元吉
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 冲击磁铁 陶瓷真空盒 镀膜 尾场函数 损失因子 宽带阻抗
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 302-306
• 页数: 5页
• 分类号: TN104.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2000.04.003

摘要

介绍了电子储存环注入凸轨冲击磁铁及其真空室常采用的几种技术方案.合肥电子储存环新凸轨注入系统选择了铁氧体磁铁内置陶瓷真空室的方式.为了同时满足脉冲磁场穿透性能及束流耦合阻抗的要求,陶瓷真空室的内壁须镀1层金属薄膜.对已制备的镀膜和无镀膜陶瓷真空室尾场函数及损失因子进行了测量,并对结果进行了拟合计算,得到陶瓷真空室宽带阻抗模型的有关参数.结合已进行的脉冲磁场穿透性能的结果,确立了改进的镀膜参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尚雷	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	49	327	8.0	16.0
2	王相綦	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	43	281	8.0	15.0
3	王琳	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	130	1264	16.0	33.0
4	樊宽军	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	11	27	3.0	4.0
5	裴元吉	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	60	343	10.0	15.0
6	冷用斌	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	39	164	8.0	10.0