测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法

• 作者: 张大成 李昕欣 杨恒 武国英 沈绍群 鲍敏杭
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 各向异性腐蚀 KOHPACC:8160C
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 504-508
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2288字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.05.018

摘要

介绍了一种测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法.硅各向异性腐蚀速率三维分布可由一系列晶面上的二维腐蚀速率分布表示.利用深反应离子刻蚀技术(DRIE)在{0mn}硅片上制作出侧壁垂直于硅片表面的矩形槽,测量槽宽度在腐蚀前后的变化,就可测定各{0mn}面上的二维腐蚀速率分布.将二维腐蚀速率分布组合在一起就得到了三维腐蚀速率分布.由于DRIE制作的垂直侧壁深度大,可耐受较长时间的各向异性腐蚀,所以只需使用一般的显微镜就能得到准确的结果.实验得到了40%KOH和25%TMAH中{n10}和{n11}晶面的腐蚀速率分布数据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨恒	复旦大学电子工程系	6	29	4.0	5.0
2	鲍敏杭	复旦大学电子工程系	11	72	6.0	8.0
3	沈绍群	复旦大学电子工程系	5	52	5.0	5.0
4	李昕欣	复旦大学电子工程系	1	11	1.0	1.0