用烟煤合成SiC的研究

• 作者: 何恩广 王晓刚 陈寿田
• 来源期刊: 煤炭学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅合成 烟煤 微观结构 挥发分 反应活性
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 434-438
• 页数: 5页
• 分类号: TQ163+.4
• 字数: 3003字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-9993.2000.04.024

摘要

用3种烟煤与SiO2在氮气保护下合成SiC,发现烟煤可以作为碳源合成SiC,但不同烟煤煤种合成产物差别很大.研究表明,烟煤的挥发分含量及其焦炭的微观结构(如孔隙率大小、气孔形貌和比表面积等)是影响反应系统内物质生成的关键因素.在1 200～1 600 ℃温度范围内研究了3种烟煤的挥发分含量和焦炭微观结构的差异及其对合成SiC反应体系的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈寿田	西安交通大学电力设备与电气绝缘国家重点实验室	95	1522	23.0	33.0
2	王晓刚	西安科技学院材料工程系	139	838	15.0	23.0
3	何恩广	西安交通大学电力设备与电气绝缘国家重点实验室	15	162	7.0	12.0