1.3 μm和1.55 μm GaInAsP/InP阵列激光器

• 作者: 晏长岭 赵英杰 钟景昌 黎荣晖
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 大光腔结构 阵列激光器 脉冲峰值功率
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 104-106
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1730字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.02.008

摘要

GaInAsP/InP系列激光器由于其T0小,且受环境温度影响大,所以用一般结构制作阵列器件是很困难的.而采用大光腔(LOC)结构的激光器,其T0值可达100～140K,单个1.3μm激光器,脉冲峰值功率超过3W,单个1.55μm激光器,脉冲峰值功率超过2W.用它们的芯片研制了堆积阵列激光器.在研制中发现,阵列的输出功率小于各单元器件输出功率之和;而减小的比率随着单元数目增加而增加.所制成的3×4单元的1.3μm阵列激光器,其脉冲峰值功率大于24W;4×4单元的1.55μm阵列激光器的脉冲峰值功率大于20W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵英杰	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	3	19	3.0	3.0
2	钟景昌	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	4	19	3.0	4.0
3	黎荣晖	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	2	11	2.0	2.0
4	晏长岭	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	2	11	2.0	2.0