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InGaAs薄膜电共沉积研究
InGaAs薄膜电共沉积研究
作者:
李浴春
杨志伟
王喜莲
韩爱珍
韩竞科
高元恺
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
InGaAs薄膜
电共沉积
透射率
摘要:
本文应用优化工艺条件的电共沉积方法,制备发射光近于1.3~1.5 μm波长的InGaAs薄膜.用能谱分析仪进行薄膜成分分析;分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率,同时也测量了薄膜的V-I特性、导电类型及其表面形貌.
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文献信息
篇名
InGaAs薄膜电共沉积研究
来源期刊
电化学
学科
化学
关键词
InGaAs薄膜
电共沉积
透射率
年,卷(期)
2000,(4)
所属期刊栏目
技术论文
研究方向
页码范围
463-468
页数
6页
分类号
O646|TQ153.2
字数
2508字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1006-3471.2000.04.014
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王喜莲
哈尔滨工业大学电子科学与技术系
11
42
3.0
6.0
2
杨志伟
山东大学光电所
9
104
5.0
9.0
3
韩爱珍
哈尔滨工业大学电子科学与技术系
9
12
2.0
2.0
4
李浴春
哈尔滨工业大学电子科学与技术系
2
3
1.0
1.0
5
韩竞科
哈尔滨工业大学电子科学与技术系
2
10
1.0
2.0
6
高元恺
哈尔滨工业大学电子科学与技术系
4
5
2.0
2.0
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研究主题发展历程
节点文献
InGaAs薄膜
电共沉积
透射率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电化学
主办单位:
中国化学会
出版周期:
双月刊
ISSN:
1006-3471
CN:
35-1172/O6
开本:
大16开
出版地:
福建省厦门市厦门大学D信箱(化学楼)
邮发代号:
34-61
创刊时间:
1995
语种:
chi
出版文献量(篇)
1802
总下载数(次)
9
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