低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究

• 作者: 丁士进 刘志杰 张剑云 张卫 王季陶 王鹏飞
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 含氟氧化硅 薄膜 低介电常数 化学气相淀积
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 452-455
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.758.11
• 字数: 5225字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2000.05.002

摘要

综述了近十年来低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究状况,详细介绍了该薄膜在化学键结构、热性质、湿稳定性以及介电常数四个方面的特性,同时也简单介绍了薄膜的台阶覆盖度、填隙能力和漏电流特性,指出含氟氧化硅薄膜是一种可用于集成电路中的极富应用前景的低介电常数材料.