在ITO玻璃衬底上制备锆钛酸铅铁电薄膜

• 作者: 李义 王君 蒋生蕊 谢亮 阎鹏勋
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锆钛酸铅 薄膜 氧化铟 溅射沉积
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 页码范围: 407-411
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.9
• 字数: 3586字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2000.05.002

摘要

利用射频反应性溅射沉积技术在掺Sn的In2O3导电透明膜(ITO)衬底上制备了钙钛矿型Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜.研究了沉积参量与热处理工艺对铁电薄膜结构和性能的影响.运用X射线衍射、X射线光电子能谱和扫描电镜等技术,分析了薄膜的晶体结构、表面形貌和表面元素化学状态.测量了不同处理条件下薄膜的铁电性能.结果表明:在掺Sn的In2O3导电透明膜衬底上可以得到表面无裂纹、化学计量比符合要求的PZT薄膜;薄膜中晶粒均匀分布,平均尺寸约250 nm,呈四方状和三角状;溅射气氛中氧含量和退火温度对薄膜结构、化学计量比和铁电性能都有明显影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王君	兰州大学物理系	31	381	10.0	19.0
2	蒋生蕊	兰州大学物理系	6	72	4.0	6.0
3	谢亮	兰州大学物理系	6	32	4.0	5.0
4	阎鹏勋	兰州大学物理系	8	142	7.0	8.0
5	李义	兰州大学物理系	1	10	1.0	1.0