SiCp/Al-Si复合材料中SiC/Al界面处亚晶铝带的研究

• 作者: 欧阳柳章 罗承萍 隋贤栋 骆灼旋
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: SiCp/Al-Si复合材料 SiC/Al界面 亚晶铝带 位错
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: TG115.21|TB331
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2000.03.002

摘要

通过利用TEM研究SiCp/Al-Si复合材料发现:SiC/Al界面结合紧密,在靠近SiC界面的Al基体中,有一层厚度小于1μm的"亚晶铝带", 它紧靠SiC表面形成, 与远离SiC的Al基体有几度的位向差;这种"亚晶铝带"在SiC/Al界面上普遍存在,其内有大量位错.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	隋贤栋		37	664	15.0	25.0
2	罗承萍		80	1286	19.0	33.0
3	欧阳柳章		39	321	10.0	17.0
4	骆灼旋		10	136	5.0	10.0