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fmax为107GHz的AlGaN/GaN HFET
fmax为107GHz的AlGaN/GaN HFET
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摘要：
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AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究
AlGaN/GaN HEMT
低温特性
饱和漏极电流
阈值电压
凹栅AlGaN/GaN HFET
AlGaN/GaN HFET
凹栅
高电压
高功率密度
蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性
AlGaN/GaN
HFET
隔离
整流特性
退火
输出功率
跨导为325mS/mm的AlGaN/GaN HFET器件
AlGaN/GaN
HFET
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期刊影响力
半导体技术
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
开本：
大16开
出版地：
石家庄179信箱46分箱
邮发代号：
18-65
创刊时间：
1976
语种：
chi
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
总被引数（次）
24788
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