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摘要:
报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构,并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED
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文献信息
篇名 InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 绿光LED InGaA/AlGaN 双异质结
年,卷(期) 2000,(4) 所属期刊栏目 技术进展
研究方向 页码范围 414-416
页数 3页 分类号 TN312.8
字数 1881字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.04.019
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研究主题发展历程
节点文献
绿光LED
InGaA/AlGaN
双异质结
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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