45ps的超高速全耗尽CMOS/SOI环振

• 作者: 刘新宇 吴德馨 孙海峰 海潮和
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 全耗尽 CMOS/SOI器件 环振
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 830-832
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 2191字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.08.019

摘要

亚微米全耗尽SOI(FDSOI)CMOS器件和电路经过工艺投片,取得良好的结果,其中工作电压为5V时,0.8μm全耗尽CMOS/S0I101级环振的单级延迟仅为45ps;随着硅层厚度的减薄和沟道长度的缩小,电路速度得以提高,0.8μm全耗尽CMOS/SOI环振比0.8μm部分耗尽CMOS/SOI环振快30%,比1μm全耗尽CMOS/SOI环振速度提高15%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
2	海潮和	中国科学院微电子中心	72	277	9.0	13.0
3	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
4	孙海峰	中国科学院微电子中心	10	45	4.0	6.0