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超高真空(UHV)PECVD系统沉积a-Si1-XCX∶HK薄膜及其特性
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摘要：
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Ge1-xCx薄膜的制备及红外特性的研究
Ge1-xCx薄膜
PECVD
红外特性
沉积速率
低碳含量a-Si1-xCx∶H薄膜的化学键结构
a-Si1-xCx∶H薄膜
Raman测量
硅团簇
射频频率对PECVD沉积氮化硅薄膜性能影响的研究
氮化硅
PECVD
拉曼光谱
应力
热丝CVD法制备a-Si1-xCx薄膜的光电性能研究
热丝CVD
非晶碳化硅
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期刊影响力
真空
主办单位：
中国机械工业集团公司沈阳真空技术研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
1002-0322
CN：
21-1174/TB
开本：
大16开
出版地：
辽宁省沈阳市万柳塘路2号
邮发代号：
8-30
创刊时间：
1964
语种：
chi
出版文献量（篇）
2692
总下载数（次）
3
总被引数（次）
12898
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