Raman谱研究不同缓冲层结构对Si1-xGex 应力弛豫的影响

• 作者: 于卓 余金中 张春晖 成步文 李代宗 王启明 王红杰 黄昌俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超高真空化学气相淀积 SiGe Raman散射
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 760-764
• 页数: 5页
• 分类号: O485
• 字数: 3273字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.08.006

摘要

应用Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层Si1-xGex层应力弛豫的影响.Raman散射的峰位不仅与Ge组分有关,而且与其中的应力状态有关.在完全应变和完全弛豫的情况下,Si1-xGex层中的Si-Si振动模式相对于衬底的偏移都与Ge组分成线性关系.根据实测的Raman峰位,估算了应力弛豫,结果表明:对组分渐变缓冲层结构而言,超品格缓冲层中界面间应力更大,把位错弯曲成一个封闭的环,既减少了表面位错密度,很大程度上又释放了应力.