MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究

• 作者: 姚冬敏 彭学新 李述体 江风益 熊传兵 王立 辛勇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD GaN 光致发光 X射线双晶衍射 Hall测量
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 120-124
• 页数: 6页
• 分类号: O474
• 字数: 1750字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.02.008

摘要

获得高质量的n型GaN单晶膜是制作GaN基光电子器件的关键之一.采用立式MOCVD系统生长GaN:Si单晶膜,通过优化生长工艺,获得了电子载流子浓度高达2×1019cm-3,迁移率达120cm2/V.s的n型GaN:Si单晶膜;并有效地抑制了GaN中由深能级引起的黄带发射,大大提高带边发光强度.研究结果还表明:随着Si掺杂量的增大,GaN:Si单晶膜的电子载流子浓度增加,迁移率下降,X光双晶衍射峰半高宽增大.首次报道了随掺Si量增大,GaN:Si单晶膜的生长速率显著下降的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立	南昌大学材料科学研究所	48	324	10.0	14.0
2	江风益	南昌大学材料科学研究所	60	527	12.0	19.0
3	辛勇	南昌大学材料科学研究所	186	1282	15.0	26.0
4	熊传兵	南昌大学材料科学研究所	23	157	7.0	11.0
5	彭学新	南昌大学材料科学研究所	16	117	7.0	10.0
6	姚冬敏	南昌大学材料科学研究所	9	86	5.0	9.0
7	李述体	南昌大学材料科学研究所	12	93	5.0	9.0