退火过程中Ti4+离子对低压ZnO陶瓷压敏性能的影响

• 作者: 徐庆 袁润章 郜定山 陈文
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO陶瓷 压敏性能 退火 Ti4+离子
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: TQ17
• 字数: 2250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2000.03.004

摘要

本文对烧成后的掺TiO2低压ZnO压敏陶瓷进行了退火处理,测量了不同退火温度下ZnO陶瓷的压敏性能,运用XRD、SEM等分析方法研究了退火过程中ZnO陶瓷结构的变化.研究结果表明,退火过程中Ti4+离子取代Zn2+离子而固溶进入ZnO晶粒表面,是引起ZnO陶瓷压敏性能变化的主要原因,在退火温度不超过400℃时可获得较好的压敏性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁润章	武汉工业大学材料复合新技术国家实验室	47	820	18.0	27.0
2	徐庆	武汉工业大学材料复合新技术国家实验室	10	117	6.0	10.0
6	陈文	武汉工业大学材料复合新技术国家实验室	10	117	6.0	10.0
10	郜定山	武汉工业大学材料科学与工程学院	2	4	1.0	2.0