LP-MOCVD生长InGaAlP系统中源气流量的动力学研究

• 作者: 刘颂豪 廖常俊 文尚胜 范广涵
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学汽相淀积 输运过程 扩散过程 气路系统 源气流量
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 410-413
• 页数: 4页
• 分类号: TN304|TN209
• 字数: 3224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.06.010

摘要

分析了LP-MOCVD生长InGaAlP外延层时，气路系统中ⅢA族源气的输运和扩散过程，从理论上推导出源气流量的计算公式，讨论了生长控制参数、气路管道几何尺寸和源气性质等对注入反应室的源气流量的影响，为精确控制气相中ⅢA族源物质的百分含量提供了理论依据。