MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料

• 作者: 孔梅影 张昉昉 曹一平 曹昕 朱战萍 潘量 王保强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PHEMT MBE A1GaAs/InGaAs
• 年，卷（期）: 2000,（9）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 934-936
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.54
• 字数: 1691字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.09.020

摘要

用MBE方法制备的PHEMT微结构材料,其2DEG浓度随材料结构的不同在2.0-4.0×1012cm-2之间,室温霍耳迁移率在5000-6500cm2·V-1·s-1之间.制备的PHEMT器件,栅长为0.7μm的器件的直流特性:Idss～280mA/mm,Imax～520-580mA/mm,gm～320-400mS/mm,BVDS>15V(Ids＝1mA/mm),BVGS>10V,微波特性:P0～600-900mW/mm,G～6-10dB,ηadd～40-60%;栅长为0.4μm的器件的直流特性:Imax～800mA/mm,gm>400mS/mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔梅影	中国科学院半导体研究所	22	29	3.0	5.0
2	曹昕	中国科学院半导体研究所	2	10	1.0	2.0
3	曹一平	中国科学院半导体研究所	1	10	1.0	1.0
4	王保强	中国科学院半导体研究所	3	12	1.0	3.0
5	潘量	中国科学院半导体研究所	2	12	2.0	2.0
6	张昉昉	中国科学院半导体研究所	1	10	1.0	1.0
7	朱战萍	中国科学院半导体研究所	1	10	1.0	1.0