准分子激光沉积(Ba1-xSrx)TiO3铁电薄膜

• 作者: 朱杰 杨光 王又清 顾豪爽
• 来源期刊: 湖北大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: (Ba1-xSrx)TiO3薄膜 DRAM 准分子激光 介电常数
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 150-153
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1812字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2000.02.013

摘要

通过准分子(308mm)激光将(Ba1-xSrx)TiO3(BST)薄膜剥离沉积在Si(100)基片上.随着沉积温度的增加,BST薄膜的结晶性显著提高.在600 ℃附近沉积的BST薄膜(400 nm)有良好的结晶性,介电常数为300,损耗因子为0.015,漏电流密度达到2×10-10 A/cm2,电荷存储密度QC为35 fC/μm2(外电场12.5 kV/cm).研究了MFS结构的C-V特性和I-V特性,BST/Si之间存在很好的界面,表现出良好的电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾豪爽	湖北大学物理学与电子技术学院	86	386	10.0	14.0
2	朱杰	湖北大学物理学与电子技术学院	30	396	11.0	19.0
3	杨光	湖北大学物理学与电子技术学院	2	17	2.0	2.0
4	王又清	华中理工大学激光技术国家重点实验室	2	14	1.0	2.0