溅射沉积AlN薄膜结构与基片种类的关系

• 作者: 张聪杰 武海顺 许小红 金志浩
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: AlN薄膜 基片 结构 磁控反应溅射
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 256-258
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 2529字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2000.04.015

摘要

采用高真空直流磁控反应溅射成功地在5种基片上制备出多晶择优取向的AlN薄膜.结果表明,5种基片均可生长 (100)面择优取向的AlN薄膜,并且具有良好的纵向组成均匀性,表面粗造度小,晶粒均匀致密.在金属电极和Si片上沉积的AlN薄膜结晶度、取向性、衍射强度差别较小, 两者的结构均优于在盖玻片上沉积的AlN薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许小红	西安交通大学材料学院	52	298	10.0	13.0
3	武海顺	山西师范大学化学系	126	524	11.0	16.0
4	金志浩	西安交通大学材料学院	325	5024	34.0	51.0
5	张聪杰	山西师范大学化学系	26	127	6.0	10.0