一维半导体在外场作用下的内势场数值解

• 作者: 张吟波 徐天伟 李朝有 杨海 沈杨
• 来源期刊: 云南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体 势垒 外场
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 42-46
• 页数: 5页
• 分类号: O471.1
• 字数: 1613字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9793.2000.06.013

摘要

利用Matlab语言,用差分方法求解一维半导体在外场作用下的势垒变化.数值求解表明:外场减低势垒高度,外场不同,减低的高度一致,势垒基地高度随外场增加而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐天伟	云南师范大学计算机科学与信息学院	55	363	10.0	16.0
2	杨海	云南师范大学计算机科学与信息学院	20	23	4.0	4.0
3	李朝有	云南师范大学成人教育学院	13	29	2.0	5.0
4	沈杨	云南师范大学成人教育学院	1	0	0.0	0.0
5	张吟波	云南师范大学成人教育学院	1	0	0.0	0.0