电子束的轫致辐射生产123I的理论计算

• 作者: 孙腊珍 李裕熊 裴元吉 许炳
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光核反应 轫致辐射 缺中子核素
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 页码范围: 559-561
• 页数: 3页
• 分类号: TL921
• 字数: 1810字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2000.08.011

摘要

对200MeV高能电子束在钨靶中作用的物理过程进行Monte-Carlo模拟，确定电子-光子转换靶(W)的最佳厚度为7-9mm。并给出124Xe高压气靶为3MPa，当照射3h，在最佳回收时间5.26h回收氙气，可获得123I的活度约5.92MBq。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	裴元吉	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	60	343	10.0	15.0
2	孙腊珍		45	379	10.0	18.0
3	许炳	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	6	15	2.0	3.0
4	李裕熊	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	15	47	5.0	5.0